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GeneSiC Semiconductor MUR10060CT
| Artikelnummer: | MUR10060CT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE MODULE 600V 50A 2TOWER |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | RoHS-konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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GeneSiC Semiconductor MUR10060CT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments MUR10060CT.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 50 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse Twin Tower Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 110 ns Verpackung / Gehäuse Twin Tower Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Bulk Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Chassis Mount Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Strom - Sperrleckstrom @ Vr 25 µA @ 50 V Strom - Richt (Io) (pro Diode) 50A MUR10060CT Einzelheiten PDF [English] MUR10060CT PDF - EN.pdf -
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